Двуосният интегрален сензор за магнитно поле съдържа полупроводникова подложка (1) с р-тип примесна проводимост, върху едната страна на която са формирани две еднакви структури от същия полупроводник, но с n-тип примесна проводимост и с форма на равностранен кръст - първа (2) и втора (3), успоредни помежду си. Всяка от структурите (2 и 3) съдържа още по един централен омичен контакт (4 и 5) с квадратна форма, като симетрично спрямо четирите му страни има по един външен правоъгълен омичен контакт - съответно по часовниковата стрелка първи (6 и 7), втори (8 и(9), трети (10 и 11), и четвърти (12 и 13). Контактите (4 и 5) са свързани с изводите на токоизточник (14). Контактът (6) от първата структура (2) е съединен с контакта (11) от втората структура (3), контактът (8) от структурата (2) е свързан с контакта (13) от втората структура (3), контактът (10) от структурата (2) е съединен с контакта (7) от втората структура (3), и контактът (12) от структурата (2) е свързан с контакта (9) от втората структура (3). Измерваното магнитно поле (15) е в равнината на подложка (1) и е с произволна ориентация. Контактите (6 и 10) от структурата (2) са диференциалният изход (16) за едната ортогонална равнинна компонента на магнитното поле (15), а контактите (9 и 13) от структурата (3) са диференциалният изход (17) за другата ортогонална равнинна компонента на магнитното поле (15).
