Сензорът за магнитно поле съдържа две еднакви правоъгълни полупроводникови подложки с n-тип примесна проводимост - първа (1) и втора (2), перпендикулярни една спрямо друга, които са формирани върху обща трета подложка (3) от същия полупроводник с р-тип проводимост. Върху горните страни на подложките (1 и 2) и на разстояния един от друг има последователно по четири правоъгълни омични контакта, успоредни на дългите си страни - първи (4 и 5), втори (6 и 7), трети (8 и 9), и четвърти (10 и 11), като всичките са перпендикулярни на дългите страни на подложките (1 и 2). Четвъртият контакт (10) от подложката (1) е свързан с първия контакт (5) от втората подложка (2) и с единия извод на токоизточник (12). Вторият контакт (6) от подложката (1) е съединен с третия контакт (9) от подложката (2) и с другия извод на токоизточника (12). Третият контакт (8) от подложката (1) е свързан с четвъртия контакт (11) от втората подложка (2), а контактът (4) от подложката (1) - с контакта (7) от втората подложка (2). Контактите (4 и 8) от подложката (1) са изход (13) на сензора, като измерваното магнитно поле (14) лежи в равнините на подложките (1, 2 и 3), и е с произволна ориентация спрямо контактите (4, 5, 6, 7, 8, 9, 10 и 11).
